標準解讀

《GB/T 41751-2022 氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法》是一項國家標準，規定了氮化鎵（GaN）單晶襯底片表面晶面曲率半徑的測量方法。該標準適用于通過不同生長技術制備的氮化鎵單晶材料，旨在提供一種統一、準確的方法來測定其晶面彎曲程度。

在本標準中，首先明確了術語和定義，確保對“曲率半徑”、“襯底片”等關鍵概念有共同的理解基礎。接著詳細描述了測試原理：基于光學干涉或衍射效應，利用特定儀器如原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射(XRD)等工具進行非接觸式測量，從而獲得樣品表面形貌信息，并據此計算出曲率半徑值。

對于實際操作流程，標準給出了詳細的步驟指導，包括但不限于樣品準備、儀器校準、數據采集及處理等方面的要求。其中特別強調了實驗條件控制的重要性，比如溫度、濕度等因素可能會影響測量結果的準確性，因此需要嚴格遵守相關規范以保證測試的一致性和可靠性。

此外，《GB/T 41751-2022》還提供了質量控制與驗證指南，建議定期使用已知參數的標準樣品來進行系統性能檢查；同時，也提出了關于不確定度分析的具體要求，幫助使用者更好地理解并報告測量結果中的潛在誤差范圍。

最后，該文件列出了報告格式示例，要求最終提交的技術文檔應包含所有必要的實驗細節以及完整的數據分析過程，以便第三方能夠復現整個實驗過程并對結論進行獨立評估。


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  • 正在執行有效
  • 2022-10-12 頒布
  • 2023-02-01 實施
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GB/T 41751-2022氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法_第1頁
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文檔簡介

ICS77040

CCSH.21

中華人民共和國國家標準

GB/T41751—2022

氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法

TestmethodforradiusofcurvatureofcrystalplaneinGaNsingle

crystalsubstratewafers

2022-10-12發布2023-02-01實施

國家市場監督管理總局發布

國家標準化管理委員會

GB/T41751—2022

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規則的規定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由全國半導體設備和材料標準化技術委員會與全國半導體設備和材料標準

(SAC/TC203)

化技術委員會材料分技術委員會共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司中國電子

:、、

科技集團公司第四十六研究所哈爾濱奧瑞德光電技術有限公司廈門柯譽爾科技有限公司山西華晶

、、、

恒基新材料有限公司福建兆元光電有限公司

、。

本文件主要起草人邱永鑫徐科王建峰任國強李騰坤左洪波鄭樹楠劉立娜楊鑫宏

:、、、、、、、、、

鄺光寧丁崇燈陳友勇

、、。

Ⅰ

GB/T41751—2022

氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法

1范圍

本文件規定了利用高分辨射線衍射儀測試氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的方法

X。

本文件適用于化學氣相沉積及其他方法制備的氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的測試氮化鎵外

,

延片晶面曲率半徑的測試可參照本文件進行

。

2規范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導體材料術語

GB/T14264

3術語和定義

界定的以及下列術語和定義適用于本文件

GB/T14264。

31

.

衍射平面diffractionplane

射線入射束衍射束構成的平面

X、。

32

.

晶面曲率半徑curvatureradiusofcrystalplane

R

襯底片名義晶面與通過襯底片中心點垂面的交線可近似的看作一段圓弧該圓弧對應的半徑

,。

注1在本文件中晶面曲率半徑帶有符號正號表示樣品名義晶面相對于測試表面為凸起狀負號表示樣品名義

:,,,

晶面相對于測試表面為凹狀

。

注2晶面曲率是晶面曲率半徑的倒數

:。

33

.

入射角incidentangle

ω角ω

angle

射線衍射儀入射射線與樣品臺表面的夾角

XX。

34

.

搖擺曲線rockingcurve

固定衍射儀探測器位置連續改變ω角并記錄衍射強度得到的測量曲線

,。

4方法原理

41單晶的原子以三維周期性結構排列其晶體可以看作是由垂直距離為d的一系列平行原子平面所

.,

構成當一束平行的單色射線射入該平面上若入射光與原子平面間的

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