CN117153946B 硅片除雜方法、硅片及其制備方法和應(yīng)用 （天合光能股份有限公司）

備第一中間體；對(duì)所述第一中間體進(jìn)行退火處2對(duì)硅片進(jìn)行第一制絨處理，制備表面含機(jī)械損傷層，反射率為1135％的硅片中間制備反射率為1135％的硅片中間體包括如下步驟：溫度為300℃~500℃,工作氣體流量為8000sccm～15000sccm，時(shí)間為120s～900s，沉6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅片除雜方法，其特征在于，滿足如下(1)～(2)中的至少一％～9.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的硅片除雜方法，其3通過(guò)權(quán)利要求1至12任一項(xiàng)所述的硅片除雜方法對(duì)硅片進(jìn)對(duì)除雜后的硅片進(jìn)行擴(kuò)散、沉積減反射鈍化膜、絲網(wǎng)印刷和光注入退4[0013]在其中一些實(shí)施方式中，所述對(duì)硅片進(jìn)行第一制絨處理，制備反射率為11%~5[0017]溫度為300℃~500℃,工作氣體流量為8000sccm～15000sccm，時(shí)間為120s~％～[0020]在其中一些實(shí)施方式中，所述退火處理的溫度為800℃~1000℃,時(shí)間為10min~[0026]將所述第三中間體與第二堿液混合，在50℃~85℃條件下進(jìn)行所述第二制絨處6方案也可能是優(yōu)選的。此外，對(duì)一個(gè)或多個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案的表述并不暗示其他實(shí)施方案不的點(diǎn)或單個(gè)數(shù)值自身可以作為下限或上限與任意其它點(diǎn)或單個(gè)數(shù)值組合或與其它下限或7[0049]本發(fā)明說(shuō)明書(shū)實(shí)施例中所提到的相關(guān)成分的重量不僅僅可以指代各組分的具體[0052]在本發(fā)明中，室溫指10℃~40℃,優(yōu)選為20℃~30℃有效的方法。利用雜質(zhì)向具有晶格不完整的區(qū)域聚集的特性引入缺陷形成雜質(zhì)富集區(qū)域，8反射率為1135％的硅片中間體包括如下步驟：[0071]將所述硅片與第一堿液混合，在50℃~85℃條件下進(jìn)行所述第一制絨處理，制備％～[0076]在硅片表面形成磷摻雜層，再通過(guò)遷移和擴(kuò)散作用將雜質(zhì)原子吸收固定在摻雜9[0078]溫度為300℃~500℃,工作氣體流量為8000sccm～15000sccm，時(shí)間為120s~[0081]在其中一些實(shí)施方式中，所述非晶硅層的厚度為30nm～200nm，包括但不限于為[0082]在其中一些實(shí)施方式中，所述非晶硅層中磷元素百分比為260包括但不限[0085]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述氧化層的厚度為7nm～50nm，包括但不限于為7nm、[0091]在其中一些實(shí)施方式中，所述退火均勻，降低反射率，后續(xù)將除雜后的硅片用于器件中，能夠增加光吸收，提高短路電流[0098]將所述第三中間體與第二堿液混合，在50℃~85℃條件下進(jìn)行所述第二制絨處[0112](2)隨后進(jìn)入PECVD機(jī)臺(tái)進(jìn)行50nm厚、5％磷摻雜濃度的n+非晶硅和30nm厚氧化層[0115](5)酸洗后的硅片采用氫氧化鈉進(jìn)行重新制絨，在該過(guò)程中硅片表面的poly雜質(zhì)[0120](2)隨后進(jìn)入PECVD機(jī)臺(tái)進(jìn)行50nm厚、5％磷摻雜濃度的n+非晶硅和30nm厚氧化層[0123](5)酸洗后的硅片采用氫氧化鈉進(jìn)行重新制絨，在該過(guò)程中硅片表面的poly雜質(zhì)[0128](2)隨后進(jìn)入PECVD機(jī)臺(tái)進(jìn)行50nm厚、5％磷摻雜濃度的n+非晶硅和30nm厚氧化層[0131](5)酸洗后的硅片采用氫氧化鈉進(jìn)行重新制絨，在該過(guò)程中硅片表面的poly雜質(zhì)[0136](2)隨后進(jìn)入PECVD機(jī)臺(tái)進(jìn)行80nm厚、8％磷摻雜濃度的n+非晶硅和30nm厚氧化層[0139](5)酸洗后的硅片采用氫氧化鈉進(jìn)行重新制絨，在該過(guò)程中硅片表面的poly雜質(zhì)[0146](5)酸洗后的硅片采用氫氧化鈉進(jìn)行重新制絨，在該過(guò)程中硅片表面的poly雜質(zhì)[0151](2)隨后進(jìn)入PECVD機(jī)臺(tái)進(jìn)行50nm厚、5％磷摻雜濃度的n+非晶硅和30nm厚氧化層[0154](5)酸洗后的硅片采用氫氧化鈉進(jìn)行重新制絨，在該過(guò)程中硅片表面的poly雜質(zhì)[0159](2)隨后進(jìn)入PECVD機(jī)臺(tái)進(jìn)行50nm厚、5％磷摻雜濃度的n+非晶硅和30nm厚氧化層[0161](5)酸洗后的硅片采用氫氧化鈉進(jìn)行重新制絨，在該過(guò)程中硅