標準解讀

《GB/T 10117-2009 高純銻》相比于《GB/T 10117-1988 高純銻》，主要在以下幾個方面進行了更新和調整：

  1. 適用范圍擴展：2009版標準可能對高純銻的應用領域或等級分類進行了更詳細的劃分，以適應技術進步和市場需求的變化。

  2. 技術指標提升：新標準很可能會提高對高純銻產品的純度要求，包括但不限于主元素含量、雜質元素的限量以及物理性能指標，以符合當前工業生產和科學研究的更高標準。

  3. 檢測方法優化：隨著分析技術的發展，2009版標準引入了更精確、更靈敏的檢測手段和分析方法，用于測定銻純度及雜質含量，提高了檢測的準確性和可靠性。

  4. 包裝、儲存與運輸規范：新標準可能對高純銻的包裝材料、儲存條件和運輸要求進行了細化和規范，以確保產品在流通環節中的品質不受影響。

  5. 環保要求加強：考慮到環境保護的重要性增加，2009版標準可能加入了關于生產過程中的環保控制措施和產品廢棄處理的指導原則，促進可持續發展。

  6. 標準結構與表述：為了提高標準的可讀性和執行性，新版標準在格式、表述上可能更加規范化、國際化，增加了定義條款、規范性引用文件等內容，使標準更加嚴謹和完善。


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  • 被代替
  • 已被新標準代替，建議下載現行標準GB/T 10117-2021
  • 2009-10-30 頒布
  • 2010-06-01 實施
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文檔簡介

犐犆犛７７．１５０．９９

犎６２

中華人民共和國國家標準

犌犅／犜１０１１７—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１０１１７—１９８８

高純銻

犎犻犵犺狆狌狉犻狋狔犪狀狋犻犿狅狀犻狌犿

２００９１０３０發布２０１００６０１實施

中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局

發布

中國國家標準化管理委員會

書

犌犅／犜１０１１７—２００９

前言

本標準代替ＧＢ／Ｔ１０１１７—１９８８《高純銻》。

本標準與ＧＢ／Ｔ１０１１７—１９８８相比，主要有如下變動：

———增加了“規范性引用文件”；

———化學成分增加“雜質總量含量”一欄，并對雜質的含量做了一些調整，主要是金、鎘、鉛的技術

參數；

———在“檢驗規則”中增加“每批產品的重量一般應不大于１００ｋｇ”；

———在“產品交付”中增加“外用塑料薄膜密封”；

———將原標準中“產品的化學成分的分析方法按供方現行方法進行；仲裁分析按供需雙方認可的方

法進行”改為“產品的化學成分分析按ＹＳ／Ｔ３５．１～３５．４高純銻化學分析方法進行”；

———對原標準中“在收到產品之日起三個月內向供方提出”中三個月的時間做了修改；

———將原標準中“化學成分檢驗不合格時，應取雙倍數量的試樣進行復驗。如其中有一個試樣結果

仍不符合本標準的要求，則判定該批產品為不合格品。”改為“化學成分檢驗不合格時，則判定

該批產品為不合格品。”。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出。

本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會材料分技術委員會歸口。

本標準負責起草單位：峨嵋半導體材料廠。

本標準主要起草人：王炎、蔣蓉。

本標準所代替標準的歷次版本發布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１０１１７—１９８８。

Ⅰ

書

犌犅／犜１０１１７—２００９

高純銻

１范圍

本標準規定了高純銻的要求、試驗方法、檢驗規則及標志、包裝、運輸、貯存和訂貨單（或合同）內

容等。

本標準適用于以工業銻為原料，經氯化、精餾、氫氣還原、蒸餾等而制得的純度不小于９９．９９９％的

以及不小于９９．９９９９％的高純銻。產品用于制備ⅢⅤ族半導體材料、高純合金、熱電致冷元件以及用

作硅、鍺單晶的摻雜劑等。

２規范性引用文件

下列文件中的條款通過本標準的引用而成為本標準的條款。凡是注日期的引用文件，其隨后所有

的修改單（不包括勘誤的內容）或修訂版均不適用于本標準，然而，鼓勵根據本標準達成協議的各方研究

是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本適用于本標準。

ＹＳ／Ｔ３５（所有部分）高純銻化學分析方法

３技術要求

３．１產品分類

高純銻按純度分為Ｓｂ０５、Ｓｂ０６兩個牌號。

３．２化學成分

各牌號的化學成分的質量分數應符合表１規定：

表１

牌號Ｓｂ０５Ｓｂ０６

Ｓｂ含量／％，不小于９９．９９９９９．９９９９

雜質含量總量／（×１０－６），不大于１０１

Ａｇ０．０５０．０１

Ａｕ０．１０．０３

Ｃｄ０．５０．０１

Ｃｕ０．０５０．０１

Ｆｅ０．５０．０５

Ｍｇ０．２０．０５

Ｎｉ０．２０．０５

雜質含量／（×１０－６），不大于

Ｐｂ０．３０．０３

Ｚｎ０．５０．０５

Ｍｎ０．０５０．０１

Ａｓ１．５０．３

Ｓ０．５

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